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• W4TRD8R-0D00

光エレクトロニクス•W4TRD8R-0D00の技術情報

パッケージ :

メーカ名 : Cree

ピン数 :

商品説明 :
Diameter 50.8mm; semi-insulating; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

温度範囲 : Min °C | Max °C

W4TRD8R-0D00 PDF