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光エレクトロニクス•W6NXD3J-0000の技術情報

パッケージ :

メーカ名 : Cree

ピン数 :

商品説明 :
Diameter 50.8mm; lsemi-insulating (prototype); 6H-silicon carbide. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

温度範囲 : Min °C | Max °C

W6NXD3J-0000 PDF


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